Энергоэффективные вычисления: демпфирование обеспечивает более быстрое переключение

Оптимальные изюминки материала, необходимые для сверхнизкого энергопотребления магнитных запоминающих устройств, определяются при помощи моделирования, выполненного исследователями из Агентства по науке, технологиям и исследованиям (A * STAR), Сингапур.Оперативная память, или ОЗУ, имеется важным элементом большинства компьютеров. Устройства RAM хранят эти, нужную для выполнения совокупностью процессов.

Эти данные вероятно записывать и извлекать из оперативной памяти с гораздо большей скоростью, чем на вторых носителях данных, что свидетельствует, что вычислительные процессы смогут выполняться стремительнее.Большинство устройств RAM хранят эти электрически в интегральной схеме. Но магнитное хранение информации может обеспечить еще более стремительную работу, делая компьютеры более стремительными. Вторая особенность содержится в том, что магнитная память с произвольным доступом (MRAM) имеется энергонезависимой — это показывает, что, в отличие от несложного электрического ОЗУ, она не теряет личные эти при выключении устройства.

MRAM хранит эти как направление намагничивания в ферромагнитной пленке. Переключение намагничивания и, так, изменение памяти из одного двоичного состояния в второе вероятно достигнуто способом несложного приложения магнитного поля, но это требует громадной мощности.Бинджин Чен и Гучан Хан из Университета хранения данных A * STAR используют микромагнитное моделирование для изучения переключения намагниченности при помощи электрического поля в магнитных запоминающих устройствах с произвольным доступом.

Они определяют идеальные изюминки материала, необходимые для минимизации времени переключения. «Мы показываем, что надежное магнитное переключение может происходить в течение пяти наносекунд для переключения при помощи электрического поля, и никакой второй внешней движущей силы не требуется», — говорит Чен.Переключение при помощи электрического поля трудится, по обстоятельству того, что приложенный электрический ток изменяет магнитные изюминки ферромагнитного материала, делая его более чувствительным к изменению намагниченности. Тогда мелкого магнитного поля, связанного с током, известного как поле Эрстеда, достаточно для переключения намагниченности.

Моделирование показало, что свойство материала, известное как магнитное затухание, очень важно для оптимизации времени переключения. Демпфирование — это уменьшение напряженности магнитного поля по мере того, как поле попадает глубже в материал. Чен и Хан показывают, что время переключения существенно значительно уменьшается с увеличением постоянной напряжённости и затухания поля Эрстеда. Результаты показали, что при выборе ферромагнитного материала с наилучшей постоянной демпфирования переключение магнитной памяти с произвольным доступом, поддерживаемой электрическим полем, может происходить всего за три наносекунды.

«Мы сохраняем веру перенести отечественное изучение с двухтерминальных устройств, каковые и считывают, и записывают эти, используя однообразные соединения, на более стабильные трехтерминальные структуры памяти, где эти два пути поделены», — говорит Чен.


6 комментариев к “Энергоэффективные вычисления: демпфирование обеспечивает более быстрое переключение”

  1. Девяткова Альбина

    Чью это *вашу*, дебил? Я к Украине не имею никакого отношения. А Рада еще не факт что даже такую кастрированную версию как в России сможет принять. О том что-бы принять нормальную версию как во всех развитых странах вообще речи не идет.

Оставьте комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *